Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P120MNF1PTG, VDSS 1200 V, ID 114 A, F1-2PACK
- Código RS:
- 248-5824P
- Referência do fabricante:
- NXH010P120MNF1PTG
- Fabricante:
- onsemi
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Adicionado
Preço Unidade (fornecido em bandeja)
161,97 €
| Unidades | Por unidade |
| 2 - 4 | 161,97 € |
| 5 - 9 | 157,12 € |
| 10 - 14 | 152,46 € |
| 15 + | 147,78 € |
- Código RS:
- 248-5824P
- Referência do fabricante:
- NXH010P120MNF1PTG
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Módulo de SiC - topología de medio puente pack de 2 EliteSiC, 1.200 V, contactos de encaje a presión MOSFET SiC M1 de 10 mohm, material de interfaz térmica
El... de ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene un medio puente MOSFET SiC de 10 mohm/1.200 V y un termistor en un encapsulado F1.
Medio puente MOSFET SiC de 10 mohm/1.200 V
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Contactos de encaje a presión
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Contactos de encaje a presión
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 114 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1200 V |
| Tipo de Encapsulado | F1-2PACK |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
- Código RS:
- 248-5824P
- Referência do fabricante:
- NXH010P120MNF1PTG
- Fabricante:
- onsemi