Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P120MNF1PTG, VDSS 1200 V, ID 114 A, F1-2PACK
- Código RS:
- 248-5823
- Referência do fabricante:
- NXH010P120MNF1PTG
- Fabricante:
- onsemi
Temporariamente fora de stock. Disponível a 29/10/2025, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).
Adicionado
Preço unitário (Em tabuleiro de 28)
156,391 €
| Unidades | Por unidade | Por Tabuleiro* |
| 28 + | 156,391 € | 4 378,948 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 248-5823
- Referência do fabricante:
- NXH010P120MNF1PTG
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Módulo de SiC - topología de medio puente pack de 2 EliteSiC, 1.200 V, contactos de encaje a presión MOSFET SiC M1 de 10 mohm, material de interfaz térmica
El... de ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene un medio puente MOSFET SiC de 10 mohm/1.200 V y un termistor en un encapsulado F1.
Medio puente MOSFET SiC de 10 mohm/1.200 V
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Contactos de encaje a presión
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Contactos de encaje a presión
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 114 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1200 V |
| Tipo de Encapsulado | F1-2PACK |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
- Código RS:
- 248-5823
- Referência do fabricante:
- NXH010P120MNF1PTG
- Fabricante:
- onsemi