- Código RS:
- 230-9089P
- Referência do fabricante:
- NTHL099N60S5
- Fabricante:
- onsemi
288 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço Unidade (fornecido em tubo)
5,60 €
Unidades | Por unidade |
10 - 49 | 5,60 € |
50 - 99 | 5,30 € |
100 - 249 | 4,57 € |
250 + | 4,54 € |
- Código RS:
- 230-9089P
- Referência do fabricante:
- NTHL099N60S5
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
El MOSFET SUPERFET V serie ON Semiconductor es la familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de quinta generación de ON Semiconductor. SUPERFET V proporciona los mejores FOM de su clase (RDS(ON)·QG y RDS(ON)·EOSS) para mejorar no solo la carga pesada sino también la eficiencia de carga ligera. La serie SUPERET V de 600 V proporciona ventajas de diseño gracias a la reducción de pérdidas de conmutación y conducción, al mismo tiempo que admite valores nominales de DVD/dt de MOSFET extremos a 120 V/ns y valores nominales de DVD/dt de diodo de cuerpo alto a 50 V/ns. Por tanto, la serie SUPERFET V MOSFET Easy Drive combina un excelente rendimiento de conmutación sin sacrificar la facilidad de uso para topologías de conmutación dura y suave. Ayuda a gestionar los problemas de EMI y facilita la implementación del diseño con una excelente eficiencia del sistema.
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. QG = 48 nC)
Baja pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida relacionada de tiempo (Típ. COSS(tr.) = 642 pF)
Baja pérdida de conmutación
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
650 V A TJ = 150 °C.
Típ. RDS(ON) = 79,2 m Ω
100 % a prueba de avalancha
Compatible con RoHS
Resistencia de puerta interna: 6,9 Ω
Baja pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida relacionada de tiempo (Típ. COSS(tr.) = 642 pF)
Baja pérdida de conmutación
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
650 V A TJ = 150 °C.
Típ. RDS(ON) = 79,2 m Ω
100 % a prueba de avalancha
Compatible con RoHS
Resistencia de puerta interna: 6,9 Ω
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 33 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
Serie | SUPERFET V |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,099 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Material del transistor | Si |
Número de Elementos por Chip | 1 |