Módulo de potencia SiC onsemi NXH006P120MNF2PTG, VDSS 1.200 V, ID 304 A., F2 de 36 pines
- Código RS:
- 229-6510P
- Referência do fabricante:
- NXH006P120MNF2PTG
- Fabricante:
- onsemi
31 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço Unidade (fornecido em tubo)
285,19 €
| Unidades | Por unidade |
| 10 - 19 | 285,19 € |
| 20 - 29 | 282,30 € |
| 30 - 39 | 281,14 € |
| 40 + | 278,24 € |
- Código RS:
- 229-6510P
- Referência do fabricante:
- NXH006P120MNF2PTG
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
El módulo DE potencia ON Semiconductor contiene un medio puente MOSFET de SiC de 1200 V y un termistor en un encapsulado F2. Se suele utilizar en inversor solar, SAI, estaciones de carga de vehículos eléctricos y alimentación industrial.
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado
Opciones con contactos soldables y contactos de encaje a presión
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Opciones con contactos soldables y contactos de encaje a presión
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 304 A. |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
| Tipo de Encapsulado | F2 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 36 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,006 Ω |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.3V |
| Material del transistor | SiC |
- Código RS:
- 229-6510P
- Referência do fabricante:
- NXH006P120MNF2PTG
- Fabricante:
- onsemi