MOSFET onsemi NTD360N65S3H, VDSS 650 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
- Código RS:
- 229-6452
- Referência do fabricante:
- NTD360N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
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Adicionado
Preço unitário (Fornecido em carretes de 2500)
0,998 €
| Unidades | Por unidade | Por Carreto* |
| 2500 + | 0,998 € | 2 495,00 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 229-6452
- Referência do fabricante:
- NTD360N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de potencia, canal N, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superconexión (SJ) de alta tensión de ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad de dv/dt extrema. En consecuencia, la serie SUPERFET III FAST MOSFET ayuda a minimizar varios sistemas de alimentación y a mejorar la eficiencia del sistema.
Características
• 700 V a TJ = 150 °C
• Carga de puerta ultrabaja (típ. Qg = 17,5 nC)
• Baja capacitancia de salida efectiva (típ. Coss(eff.) = 180 pF)
• Rendimiento de conmutación rápido con diodo de cuerpo robusto
• Probado 100 % para avalancha.
• Compatible con RoHS
• Típ. RDS(on) = 296 m
• Resistencia de puerta interna: 0,9
• Carga de puerta ultrabaja (típ. Qg = 17,5 nC)
• Baja capacitancia de salida efectiva (típ. Coss(eff.) = 180 pF)
• Rendimiento de conmutación rápido con diodo de cuerpo robusto
• Probado 100 % para avalancha.
• Compatible con RoHS
• Típ. RDS(on) = 296 m
• Resistencia de puerta interna: 0,9
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 10 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Serie | SUPERFET III |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,36 Ω |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |