MOSFET Toshiba TK099V65Z,LQ(S, VDSS 650 V, ID 30 A, DFN8x8 de 5 pines
- Código RS:
- 206-9730
- Referência do fabricante:
- TK099V65Z,LQ(S
- Fabricante:
- Toshiba
1000 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
6,175 €
| Unidades | Por unidade | Por Pack* |
| 2 - 48 | 6,175 € | 12,35 € |
| 50 - 98 | 4,80 € | 9,60 € |
| 100 - 248 | 4,31 € | 8,62 € |
| 250 - 998 | 3,925 € | 7,85 € |
| 1000 + | 3,855 € | 7,71 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 206-9730
- Referência do fabricante:
- TK099V65Z,LQ(S
- Fabricante:
- Toshiba
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.
Baja resistencia de conexión drenador-fuente 0,08 ?
Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C.
Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 30 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Serie | TK099V65Z |
| Tipo de Encapsulado | DFN8x8 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 5 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.09 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Silicio |
- Código RS:
- 206-9730
- Referência do fabricante:
- TK099V65Z,LQ(S
- Fabricante:
- Toshiba