MOSFET ROHM SCT3040KRC14, VDSS 1.200 V, ID 55 A, TO-247 de 4 pines, config. Simple
- Código RS:
- 191-8762
- Referência do fabricante:
- SCT3040KRC14
- Fabricante:
- ROHM
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 191-8762
- Referência do fabricante:
- SCT3040KRC14
- Fabricante:
- ROHM
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
SCT3040KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver source terminal is improving high-speed switching performance.
Baja resistencia
Velocidad de conmutación rápida
Tiempo de recuperación inversa rápido
Easy to parallel
Fácil de accionar
Chapado de cable sin plomo
High efficiency 4pin package
Evaluation board 'P02SCT3040KR-EVK-001'
Aplicación
Inversores solares
Convertidores dc/dc
Fuentes de alimentación de modo conmutado
Calentadores de inducción
Controladores para motor
Velocidad de conmutación rápida
Tiempo de recuperación inversa rápido
Easy to parallel
Fácil de accionar
Chapado de cable sin plomo
High efficiency 4pin package
Evaluation board 'P02SCT3040KR-EVK-001'
Aplicación
Inversores solares
Convertidores dc/dc
Fuentes de alimentación de modo conmutado
Calentadores de inducción
Controladores para motor
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 55 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 4 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 52 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5.6V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.7V |
| Disipación de Potencia Máxima | 262 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 22 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 107 nC @ 18V |
| Material del transistor | SiC |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |