MOSFET ROHM RS1E130GNTB, VDSS 30 V, ID 35 A, HSOP8 de 8 pines, config. Simple
- Código RS:
- 183-5451
- Referência do fabricante:
- RS1E130GNTB
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 183-5451
- Referência do fabricante:
- RS1E130GNTB
- Fabricante:
- ROHM
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- TH
Detalhes do produto
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
Low on - resistance
High Power Package (HSOP8)
Pb-free lead plating
Halogen Free
High Power Package (HSOP8)
Pb-free lead plating
Halogen Free
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 35 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Serie | RS1E130GN |
| Tipo de Encapsulado | HSOP8 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 17,7 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 22 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 7.9 nC @ 10 V |
| Ancho | 5mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Longitud | 5.8mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | 150 °C |
| Altura | 1.05mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |