MOSFET Vishay IRF840APBF, VDSS 500 V, ID 8 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 178-0835
- Referência do fabricante:
- IRF840APBF
- Fabricante:
- Vishay
50 Disponível para entrega em 24/48 horas
100 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário (Em Tubo de 50)
1,648 €
| Unidades | Por unidade | Por Tubo* |
| 50 - 50 | 1,648 € | 82,40 € |
| 100 - 200 | 1,40 € | 70,00 € |
| 250 + | 1,318 € | 65,90 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 178-0835
- Referência do fabricante:
- IRF840APBF
- Fabricante:
- Vishay
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
El MOSFET de potencia Vishay tiene una carga de puerta baja QG que proporciona un requisito de accionamiento sencillo y dispone de una mejor resistencia dv/dt dinámica, avalancha y puerta mejorada.
Unión de funcionamiento y rango de temperatura de almacenamiento: 55 a + 150 °C.
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 8 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 850 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 125 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 10.41mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 38 nC a 10 V |
| Ancho | 4.7mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Altura | 9.01mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |