MOSFET ROHM RJ1L08CGNTLL, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-263AB de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 177-6748
- Referência do fabricante:
- RJ1L08CGNTLL
- Fabricante:
- ROHM
25 Disponível para entrega em 8 dia(s) útil(eis).
Adicionado
Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
2,308 €
| Unidades | Por unidade | Por Pack* |
| 5 - 45 | 2,308 € | 11,54 € |
| 50 - 95 | 2,078 € | 10,39 € |
| 100 - 245 | 1,888 € | 9,44 € |
| 250 - 495 | 1,728 € | 8,64 € |
| 500 + | 1,598 € | 7,99 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 177-6748
- Referência do fabricante:
- RJ1L08CGNTLL
- Fabricante:
- ROHM
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- JP
Detalhes do produto
El RJ1G08CGN es un MOSFET de alimentación con baja resistencia de conexión y encapsulado moldeado pequeño de alta potencia adecuado para conmutación.
Baja resistencia de encendido
Encapsulado moldeado pequeño de alta potencia
Chapado de cable sin plomo
Libre de halógenos
Encapsulado moldeado pequeño de alta potencia
Chapado de cable sin plomo
Libre de halógenos
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 80 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Serie | RJ1L08CGN |
| Tipo de Encapsulado | TO-263AB |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 7,7 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 96 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 55 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Ancho | 9.2mm |
| Longitud | 10.4mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 4.7mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |