MOSFET ROHM R6504ENJTL, VDSS 650 V, ID 4 A, TO-263S de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 177-6303
- Referência do fabricante:
- R6504ENJTL
- Fabricante:
- ROHM
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 177-6303
- Referência do fabricante:
- R6504ENJTL
- Fabricante:
- ROHM
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- JP
Detalhes do produto
El R6504ENJ es un MOSFET de alimentación con baja resistencia de conexión y velocidad de conmutación rápida, y es ideal para aplicaciones de conmutación.
Baja resistencia
Velocidad de conmutación rápida
Fácil de usar en paralelo
Chapado sin plomo
Velocidad de conmutación rápida
Fácil de usar en paralelo
Chapado sin plomo
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-263S |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,05 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 58 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
| Longitud | 10.4mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Ancho | 9.2mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 15 nC a 10 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Altura | 4.7mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Serie | R6504ENJ |
| Tensión de diodo directa | 1.5V |