MOSFET ROHM R6030KNZC8, VDSS 600 V, ID 30 A, TO-3PF de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 177-6083
- Referência do fabricante:
- R6030KNZC8
- Fabricante:
- ROHM
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 177-6083
- Referência do fabricante:
- R6030KNZC8
- Fabricante:
- ROHM
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- TH
Detalhes do produto
El R6030KNZ es un MOSFET de alimentación de velocidad de conmutación ultraalta y baja resistencia de conexión.
Baja resistencia de encendido.
Velocidad de conmutación ultraalta.
Uso paralelo sencillo.
Chapado de cable sin plomo
Velocidad de conmutación ultraalta.
Uso paralelo sencillo.
Chapado de cable sin plomo
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 30 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-3PF |
| Serie | R6030KNZ |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 130 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
| Disipación de Potencia Máxima | 86 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
| Longitud | 15.7mm |
| Ancho | 5.7mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 56 nC a 10 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 26.7mm |
| Tensión de diodo directa | 1.5V |