- Código RS:
- 171-3620
- Referência do fabricante:
- TSM3N80CH C5G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 171-3620
- Referência do fabricante:
- TSM3N80CH C5G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
El Taiwan Semiconductor 800V, 3A, 4. MOSFET de potencia de canal N de 3 contactos y 3Ω con configuración de transistor único y modo de canal de mejora. Se utiliza generalmente en fuentes de alimentación y aplicaciones de iluminación.
RDS(ON) baja de 1 3.3Ω (típ.)
Carga de compuerta baja típica a 19nC mA (Típ.)
Bajos CRSs típicos a 10,2pF mA (Típ.)
Capacidad dv/dt mejorada
La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C.
Disipación de potencia máxima de 94W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 2V V y 4V V.
Carga de compuerta baja típica a 19nC mA (Típ.)
Bajos CRSs típicos a 10,2pF mA (Típ.)
Capacidad dv/dt mejorada
La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C.
Disipación de potencia máxima de 94W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 2V V y 4V V.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 3 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V |
Tipo de Encapsulado | TO-251 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 4.2 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 94 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 19 nC a 10 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 2.3mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Longitud | 6.5mm |
Tensión de diodo directa | 1.5V |
Altura | 7mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |