MOSFET Fuji Electric FMW47N60S1HF, VDSS 600 V, ID 47 A, TO-247 de 3 pines, config. Simple

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Produto Descatalogado

Documentação Técnica

MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N

- Baja resistencia
- Bajo ruido
- Baja pérdida de conmutación

Transistores MOSFET, Fuji Electric

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	47 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	70 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Disipación de Potencia Máxima	390 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	5.03mm
Material del transistor	Si
Longitud	15.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	125 nC a 10 V
Altura	20.95mm
Serie	Super J-MOS