MOSFET Vishay SI4532CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 4,3 A, 6 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
- Código RS:
- 165-7226
- Referência do fabricante:
- SI4532CDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Temporariamente fora de stock. Disponível a 30/05/2025, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).
Adicionado
Preço unitário (Fornecido em carretes de 2500)
0,355 €
| Unidades | Por unidade | Por Carreto* |
| 2500 + | 0,355 € | 887,50 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 165-7226
- Referência do fabricante:
- SI4532CDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N, P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4,3 A, 6 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 65 MΩ, 140 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 2,78 W |
| Configuración de transistor | Aislado |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Longitud | 5mm |
| Ancho | 4mm |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 6 nC a 10 V, 7,8 nC a 10 V |
| Altura | 1.5mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 165-7226
- Referência do fabricante:
- SI4532CDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay