MOSFET Texas Instruments CSD17303Q5, VDSS 30 V, ID 100 A, SON de 8 pines, config. Simple

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Documentação Técnica

Transistores MOSFET, Texas Instruments

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SON
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.9V
Disipación de Potencia Máxima	3,2 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +10 V
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	18 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	5.1mm
Longitud	6.1mm
Serie	NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.05mm