MOSFET Texas Instruments CSD83325LT, VDSS 12 V, ID 8 A, PICOSTAR de 6 pines, , config. Simple

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Documentação Técnica

Transistores MOSFET, Texas Instruments

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	12 V
Serie	NexFET
Tipo de Encapsulado	PICOSTAR
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	23 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	2,3 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-10 V, +10 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	8,4 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	1.15mm
Ancho	2.2mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	0.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C