- Código RS:
- 145-5875
- Referência do fabricante:
- C2M0040120D
- Fabricante:
- Wolfspeed
- Código RS:
- 145-5875
- Referência do fabricante:
- C2M0040120D
- Fabricante:
- Wolfspeed
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- CN
Detalhes do produto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
Funcionamiento con cierre resistente
Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
Funcionamiento con cierre resistente
Transistores MOSFET, Wolfspeed
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 60 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 52 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 330 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -5 V, +20 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 115 nC a 20 V, 115 nC a 5 V |
Ancho | 5.21mm |
Longitud | 16.13mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Material del transistor | SiC |
Tensión de diodo directa | 3.3V |
Altura | 21.1mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |