MOSFET Vishay SIHG30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 145-2157
- Referência do fabricante:
- SIHG30N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Temporariamente fora de stock. Disponível a 06/06/2025, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).
Adicionado
Preço unitário (Em Tubo de 25)
5,377 €
| Unidades | Por unidade | Por Tubo* |
| 25 - 25 | 5,377 € | 134,425 € |
| 50 - 100 | 5,27 € | 131,75 € |
| 125 + | 5,001 € | 125,025 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 145-2157
- Referência do fabricante:
- SIHG30N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- CN
Detalhes do produto
MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor
Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).
Características
Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 29 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-247AC |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 125 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 250 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 85 nC a 10 V |
| Longitud | 15.87mm |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 5.31mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Serie | E Series |
| Altura | 20.82mm |
- Código RS:
- 145-2157
- Referência do fabricante:
- SIHG30N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay