MOSFET Infineon IRF8010STRLPBF, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
- Código RS:
- 130-0966
- Referência do fabricante:
- IRF8010STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
715 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
0,944 €
| Unidades | Por unidade | Por Pack* |
| 5 + | 0,944 € | 4,72 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 130-0966
- Referência do fabricante:
- IRF8010STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 80 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 15 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 260 W |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Longitud | 10.67mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 81 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 9.65mm |
| Altura | 4.83mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.3V |
- Código RS:
- 130-0966
- Referência do fabricante:
- IRF8010STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon