MOSFET Toshiba TPCA8107-H(TE12L,Q,M), VDSS 40 V, ID 7.5 A, SOP avanzado de 8 pines, config. Simple

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Documentação Técnica

Transistores MOSFET, Toshiba

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	SOP avanzado
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	30 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Disipación de Potencia Máxima	2800 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	15 nC a 5 V, 27 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	5mm
Ancho	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	0.95mm
Serie	U-MOSIII
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C