- Código RS:
- 194-552P
- Referência do fabricante:
- IXFH44N50P
- Fabricante:
- IXYS
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Adicionado
Preço Unidade (fornecido em tubo)
9,30 €
Unidades | Por unidade |
6 - 14 | 9,30 € |
15 + | 8,85 € |
- Código RS:
- 194-552P
- Referência do fabricante:
- IXFH44N50P
- Fabricante:
- IXYS
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 44 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
Tipo de Encapsulado | TO-247AD |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 140 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
Disipación de Potencia Máxima | 650000 mW |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Ancho | 5.3mm |
Longitud | 16.26mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 98 nC a 10 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Material del transistor | Si |
Serie | HiperFET, Polar |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 21.46mm |
- Código RS:
- 194-552P
- Referência do fabricante:
- IXFH44N50P
- Fabricante:
- IXYS