Módulo de potencia inteligente, 6MBP50VBA-120-50, N-Canal, 50 A, 1.200 V, P 626, 24-Pines, 20kHz Trifásico
- Código RS:
- 877-7307
- Referência do fabricante:
- 6MBP50VBA-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 877-7307
- Referência do fabricante:
- 6MBP50VBA-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
IGBT IPM (módulo de alimentación inteligente), serie V, Fuji Electric
La serie V de módulos de potencia inteligente (IPM) de Fuji Electric está equipada con accionamiento, control y protección de circuitos IGBT. Son fáciles de implementar en aplicaciones de control de alimentación de servos AC, equipos de aire acondicionado y ascensores. Las funciones de protección integradas optimizan e incrementan la vida útil de los IGBT IPM, lo que garantiza la protección de la alta fiabilidad del sistema. Los IPM incorporan protección contra exceso de corriente, cortocircuito, caída de tensión de potencia de control y recalentamiento e incluyen señales de alarma de salida.
6MBP... Sin frenado externo
7MBP... Con frenado externo
7MBP... Con frenado externo
IGBT discretos y módulos, Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V |
| Disipación de Potencia Máxima | 255 W |
| Tipo de Encapsulado | P 626 |
| Configuración | Trifásico |
| Tipo de Montaje | Montaje en PCB |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 24 |
| Velocidad de Conmutación | 20kHz |
| Configuración de transistor | Trifásico |
| Dimensiones | 87 x 50.2 x 12mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +110 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -20 °C |