Módulo IGBT, 2MBi150VA-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines

  • Código RS 771-6288
  • Referência do fabricante 2MBi150VA-120-50
  • Fabricante Fuji Electric
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
Detalhes do produto

Módulos IGBT de 2 paquetes, Fuji Electric

Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S

IGBT discretos y módulos, Fuji Electric

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificações
Atributo Valor
Configuración de transistor Serie
Configuración Serie
Corriente Máxima Continua del Colector 150 A
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
Tipo de Canal N
Tipo de Montaje Montaje en panel
Tipo de Encapsulado M263
Conteo de Pines 7
Disipación de Potencia Máxima 785 W
Dimensiones 94 x 34 x 30mm
Altura 30mm
Longitud 94mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Ancho 34mm
116 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
Preço unitário
87,98
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
1 - 1
87,98 €
2 - 4
80,94 €
5 - 9
75,66 €
10 - 19
68,62 €
20 +
61,58 €