Módulo IGBT, 2MBi300VE-120-50, N-Canal, 360 A, 1.200 V, M277, 7-Pines Serie
- Código RS:
- 747-1096
- Referência do fabricante:
- 2MBi300VE-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric
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- Código RS:
- 747-1096
- Referência do fabricante:
- 2MBi300VE-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Módulos IGBT de 2 paquetes, Fuji Electric
Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S
IGBT discretos y módulos, Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 360 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Disipación de Potencia Máxima | 2,2 kW |
| Configuración | Serie |
| Tipo de Encapsulado | M277 |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 7 |
| Configuración de transistor | Serie |
| Dimensiones | 110 x 80 x 30mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
- Código RS:
- 747-1096
- Referência do fabricante:
- 2MBi300VE-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric