Módulo IGBT, 7MBR50VB-120-50, Puente trifásico, 50 A, 1.200 V, N-Canal, M712, 24-Pines

  • Código RS 168-4561
  • Referência do fabricante 7MBR50VB-120-50
  • Fabricante Fuji Electric
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
COO (País de Origem): JP
Detalhes do produto

Módulos IGBT de 7 paquetes, Fuji Electric

Serie V

IGBT discretos y módulos, Fuji Electric

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificações
Atributo Valor
Configuración de transistor Trifásico
Configuración Puente trifásico
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
Tipo de Canal N
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Tipo de Encapsulado M712
Conteo de Pines 24
Disipación de Potencia Máxima 280 W
Dimensiones 122 x 62 x 17mm
Altura 17mm
Longitud 122mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Ancho 62mm
60 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
Preço unitário (Em caixa de 10)
117,502
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
Por Caixa*
10 +
117,502 €
1.175,02 €
*preço indicativo