Módulo IGBT, FS150R12KE3BOSA1, Puente trifásico, 200 A, 1.200 V, N-Canal, AG-ECONO3-4 Trifásico
- Código RS 166-1096
- Referência do fabricante FS150R12KE3BOSA1
- Fabricante Infineon
Módulo IGBT, Infineon
La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.
Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Configuración | Puente trifásico |
| Configuración de transistor | Trifásico |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 200 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Tipo de Canal | N |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel |
| Tipo de Encapsulado | AG-ECONO3-4 |
| Disipación de Potencia Máxima | 700 W |
| Dimensiones | 122 x 62 x 17mm |
| Altura | 17mm |
| Longitud | 122mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +125 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Ancho | 62mm |
