Memoria SRAM Renesas Electronics, 32Mbit, 2M palabras x 16 bits, μTSOP II-52, VCC máx. 3,6 V
- Código RS:
- 767-5951
- Referência do fabricante:
- R1LV3216RSD-5SI#B0
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 767-5951
- Referência do fabricante:
- R1LV3216RSD-5SI#B0
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
SRAM de baja potencia, serie R1LV, Renesas Electronics
La serie R1LV de RAM estáticas avanzadas de baja tensión son aptas para aplicaciones de memoria en las que los objetivos de diseño importantes sean una interfaz sencilla, el funcionamiento de la batería y la batería de reserva.
Fuente de alimentación única de 2,7 V o 3,6 V
Corriente pequeña en standby
No es necesario reloj ni actualizaciones
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
Tres salidas de estado: capacidad OR-Tie
Corriente pequeña en standby
No es necesario reloj ni actualizaciones
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
Tres salidas de estado: capacidad OR-Tie
SRAM (memoria de acceso aleatorio estática)
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 32Mbit |
| Organización | 2M palabras x 16 bits |
| Número de Palabras | 2M |
| Número de Bits de Palabra | 16bit |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 55ns |
| Baja Potencia | Sí |
| Tipo de Temporizador | Asíncrono |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | μTSOP II |
| Conteo de Pines | 52 |
| Dimensiones | 10.89 x 8.99 x 1mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
| Altura | 1mm |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,7 V |
| Ancho | 8.99mm |
| Longitud | 10.89mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
- Código RS:
- 767-5951
- Referência do fabricante:
- R1LV3216RSD-5SI#B0
- Fabricante:
- Renesas Electronics