Memoria SRAM Infineon, 256kbit, 32k x 8 bits, 100MHZ, TSOP-28, VCC máx. 5,5 V

Rango de temperaturas
–40 °C a 85 °C.
Pasador y función compatibles con CY7C199C
Alta velocidad
TAA = 10 ns
Baja potencia activa
ICC = 80 mA a 10 ns
Baja potencia en espera de CMOS
ISB2 = 3 mA
retención de datos v data
Apagado automático cuando no está seleccionado
Semiconductores de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad/potencia óptimas
Entradas y salidas compatibles con lógica de transistor-transistor (TTL)
Fácil expansión de la memoria con características CE y OE
Disponible en encapsulados J-Lead moldeados de 28 pines y 300 mil-Wide moldeados sin Pb (SOJ) y encapsulado de contorno pequeño fino de 28 pines (TSOP) I.