Memoria SRAM Infineon, 8Mbit, 512 k x 16 bits, 1MHZ, TSOP-48, VCC máx. 3,6 V
- Código RS:
- 188-5327
- Referência do fabricante:
- CY62157EV30LL-45ZXI
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 188-5327
- Referência do fabricante:
- CY62157EV30LL-45ZXI
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor
Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.
SRAM (memoria de acceso aleatorio estática)
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 8Mbit |
| Organización | 512 k x 16 bits |
| Número de Palabras | 512k |
| Número de Bits de Palabra | 16bit |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 45ns |
| Frecuencia de Reloj | 1MHZ |
| Baja Potencia | Sí |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | TSOP |
| Conteo de Pines | 48 |
| Dimensiones | 18.51 x 10.26 x 1.04mm |
| Altura | 1.04mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,2 V |
| Longitud | 18.51mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Ancho | 10.26mm |
- Código RS:
- 188-5327
- Referência do fabricante:
- CY62157EV30LL-45ZXI
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor