Chip de memoria SRAM Cypress Semiconductor CY62148ELL-55SXI 4Mbit, 1MHZ, SOIC, 32 pines

Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
COO (País de Origem): US
Detalhes do produto

Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor

Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.

Velocidad muy alta: 45 ns
Rango de tensión: 4,5 V a 5,5 V.
PIN compatible con CY62148B
Potencia en espera muy baja
Corriente de espera típica: 1 μA
Corriente de espera máxima: 7 μA (industrial)
Potencia activa ultrabaja
Corriente activa típica: 2,0 mA a f = 1 MHz
Fácil expansión de la memoria con características CE y OE
Apagado automático cuando no está seleccionado
Semiconductores de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
Disponible en encapsulados de circuito integrado (SOIC)[1] de contorno pequeño y delgado de 32 pines (TSOP) II sin Pb

SRAM (memoria de acceso aleatorio estática)

Especificações
Atributo Valor
Tamaño de la Memoria 4Mbit
Organización 512k x 8 bits
Número de Palabras 512k
Número de Bits de Palabra 8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 55ns
Frecuencia de Reloj 1MHZ
Baja Potencia
Tipo de Montaje Montaje superficial
Tipo de Encapsulado SOIC
Conteo de Pines 32
Dimensiones 20.75 x 11.43 x 2.88mm
Altura 2.88mm
Longitud 20.75mm
Ancho 11.43mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 5,5 V
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento +85 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C
750 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
Preço unitário (Em Tubo de 25)
3,893
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
Por Tubo*
25 - 25
3,893 €
97,325 €
50 - 75
3,788 €
94,70 €
100 - 225
3,688 €
92,20 €
250 - 475
3,594 €
89,85 €
500 +
3,504 €
87,60 €
*preço indicativo