SRAM Infineon, 4Mbit, 512k x 8 bits, 1MHZ, SOIC-32, VCC máx. 5,5 V
- Código RS:
- 124-2941P
- Referência do fabricante:
- CY62148ELL-55SXI
- Fabricante:
- Infineon
Temporariamente fora de stock. Disponível a 02/05/2024, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).
Adicionado
Preço Unidade (fornecido em tubo)
7,64 €
| Unidades | Por unidade |
| 10 - 18 | 7,64 € |
| 20 - 98 | 7,435 € |
| 100 - 498 | 7,235 € |
| 500 + | 7,065 € |
- Código RS:
- 124-2941P
- Referência do fabricante:
- CY62148ELL-55SXI
- Fabricante:
- Infineon
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- US
Detalhes do produto
Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor
Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.
SRAM (memoria de acceso aleatorio estática)
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 4Mbit |
| Organización | 512k x 8 bits |
| Número de Palabras | 512k |
| Número de Bits de Palabra | 8bit |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 45ns |
| Ancho del Bus de Direcciones | 8bit |
| Frecuencia de Reloj | 1MHZ |
| Baja Potencia | Sí |
| Tipo de Temporizador | Asíncrono |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Conteo de Pines | 32 |
| Dimensiones | 20.75 x 11.43 x 2.81mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 5,5 V |
| Altura | 2.81mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Longitud | 20.75mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 4,5 V |
| Ancho | 11.43mm |
- Código RS:
- 124-2941P
- Referência do fabricante:
- CY62148ELL-55SXI
- Fabricante:
- Infineon