Memoria flash, CFI S29GL01GT11FHIV10 1024Mbit, 128M x 8 bits, 110ns, BGA, 64 pines

Tecnología Eclipse MirrorBit de 54
Alimentación única (VCC) para lectura / programa / borrado (2.7 V a 3.6 V)
Función de E/S versátil
Amplio rango de tensión de E/S (vio): 1.65 V a VCC
bus de datos x8/x16
Lectura de página asincrónica de 32 bytes
Búfer de programación de 512 bytes
Programación en un máximo de 512 bytes
Una sola palabra y varios programas en las mismas opciones de palabra
Comprobación automática de errores y corrección (ECC) de hardware interno ECC con corrección de errores de un solo bit
Borrado De Sector
Sectores uniformes de 128 KB
Comandos Suspender y Reanudar para las operaciones Programa y Borrar
Registro de estado, Sondeo de datos y métodos PIN de listo/Ocupado para determinar el estado del dispositivo
Protección Advanced Sector (Asp)
Métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector
Matriz de programa Único (OTP) de 2048 bytes independiente
Cuatro regiones bloqueables (SSR0 - SSR3)
SSR0 Está Bloqueado en fábrica
SSR3 Es Password Read Protect
Tabla de parámetros de la interfaz flash común (CFI)
Rango De Temperatura / Grado:
Industrial (-40 °C a +85 °C)
Industrial Plus (-40 °C a +105 °C)
Extendido (-40 °C a +125 °C)
100,000 Programar / Borrar Ciclos
retención de datos a 20 años፤