RS Components
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Referência do fabricante

Memoria flash, Paralelo W29N02GVBIAF 2Gbit, 256M x 8 bit, 25μs, VFBGA, 63 pines


206 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
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Preço Ud. (Suministrado en una Bandeja)

3,52 €

unidades

Adicionado

Opções de embalagem:
Código RS:
1882841P
Referência do fabricante:
W29N02GVBIAF
Fabricante:
Winbond
COO (País de Origem):
TW
unidadesPor unidade
2 +3,52 €

Density : 2Gbit (Single chip solution)
Vcc : 2.7V to 3.6V
Bus width : x8
Operating temperature
Industrial: -40°C to 85°C
Single-Level Cell (SLC) technology.
Organization
Density: 2G-bit/256M-byte
Page size
2,112 bytes (2048 + 64 bytes)
Block size
64 pages (128K + 4K bytes)
Highest Performance
Read performance (Max.)
Random read: 25us
Sequential read cycle: 25ns
Write Erase performance
Page program time: 250us(typ.)
Block erase time: 2ms(typ.)
Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(2)
10-years data retention
Command set
Standard NAND command set
Additional command support
Sequential Cache Read
Random Cache Read
Cache Program
Copy Back
Two-plane operation
Contact Winbond for OTP feature
Contact Winbond for block Lock feature
Lowest power consumption
Read: 25mA(typ.3V)
Program/Erase: 25mA(typ.3V)
CMOS standby: 10uA(typ.)
Space Efficient Packaging
48-pin standard TSOP1
63-ball VFBGA


2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.


Bus Width: x8
Random Read: 25us
Page Program Time: 250us(typ.)
Block Erase Time: 2ms(typ.)
Support OTP Memory Area


AtributoValor
Tamaño de la Memoria2Gbit
Tipo de InterfazParalelo
Tipo de EncapsuladoVFBGA
Conteo de Pines63
Organización256M x 8 bit
Tipo de MontajeMontaje superficial
Tipo de CélulaSLC NAND
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento3.6 V
Longitud11.1mm
Altura0.6mm
Ancho9.1mm
Dimensiones11.1 x 9.1 x 0.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento+85 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima-40 °C
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo25µs
Número de Palabras256M
Número de Bits de Palabra8bit