Memoria flash, Paralelo W29N01HVSINA 1Gbit, 128M x 8 bit, 25μs, TSOP, 48 pines

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Adicionado

Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 5)

2,396 €

Documentação Técnica

1Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8
Random Read: 25us
Page Program Time: 250us(typ.)
Block Erase Time: 2ms(typ.)

Atributo	Valor
Tamaño de la Memoria	1Gbit
Tipo de Interfaz	Paralelo
Tipo de Encapsulado	TSOP
Conteo de Pines	48
Organización	128M x 8 bit
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Tipo de Célula	SLC NAND
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima	2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento	3.6 V
Organización de Bloques	Simétrico
Longitud	12.1mm
Altura	1.5mm
Ancho	18.5mm
Dimensiones	18.5 x 12.1 x 1.05mm
Serie	W29N
Número de Palabras	128M
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo	25µs
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+85 °C
Número de Bits de Palabra	8bit