Memoria flash, ONFI 1.0 S34ML04G100BHI000 4Gbit, 256 M x 16 bits, 512 M x 8 bits, 25μs, FBGA, 63 pines
- Código RS:
- 171-1497
- Referência do fabricante:
- S34ML04G100BHI000
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 171-1497
- Referência do fabricante:
- S34ML04G100BHI000
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- US
Detalhes do produto
Memoria Flash NAND SLC, Cypress Semiconductor
Flash NAND de alta fiabilidad 3V (ML-1) para integración
Gama de formatos de organización de la memoria Flash ML Nand:
128 M x 8 bits, 64 M x 16 bits - S34ML01G100BHI000, S34ML01G100TFI000
128 M x 16 bits, 256 M x 8 bits - S34ML02G100BHI000, S34ML02G100TFI000
256M x 16 bits, 512M x 8 bits - S34ML04G100BHI000, S34ML04G100TFI000
Interfaz flash NAND abierta (ONFI) 1.0
Gama de formatos de organización de la memoria Flash ML Nand:
128 M x 8 bits, 64 M x 16 bits - S34ML01G100BHI000, S34ML01G100TFI000
128 M x 16 bits, 256 M x 8 bits - S34ML02G100BHI000, S34ML02G100TFI000
256M x 16 bits, 512M x 8 bits - S34ML04G100BHI000, S34ML04G100TFI000
Interfaz flash NAND abierta (ONFI) 1.0
Memoria Flash NAND
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tamaño de la Memoria | 4Gbit |
Tipo de Interfaz | ONFI 1.0 |
Tipo de Encapsulado | FBGA |
Conteo de Pines | 63 |
Organización | 256 M x 16 bits, 512 M x 8 bits |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Célula | SLC NAND |
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,7 V |
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
Dimensiones | 11 x 9 x 0.75mm |
Número de Palabras | 256M, 512M |
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 25µs |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
Número de Bits de Palabra | 8 bit, 16 bit |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |