AEC-Q100 Memoria FRAM Cypress Semiconductor FM28V202A-TG, 44 pines, TSOP, Paralelo, 2Mbit, 128k x 8 bits, 60ns, 2 V a

Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
COO (País de Origem): US
Detalhes do produto

F-RAM de Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 2 Mbits (F-RAM) organizada lógicamente como 128 K ´ 16
Configurable como 256 K ´ 8 mediante UB y LB
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
Retención de datos de 151 años (consulte la tabla de retención y resistencia de datos)
NODELAY™ escribe
Funcionamiento del modo de página a un tiempo de ciclo de 30 ns
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Compatible con SRAM
Pinout SRAM estándar de la industria de 128 K ´ 16
tiempo de acceso de 60 ns, tiempo de ciclo de 90 ns
Características avanzadas
Protección contra escritura de bloque programable por software
Superior a los módulos SRAM respaldados por batería
No hay problemas con la batería
Fiabilidad monolítica
Solución de montaje en superficie real, sin pasos de rectificación
Superior para humedad, golpes y vibraciones
Bajo consumo
Corriente activa 7 mA (típ.)
Corriente en espera 120 μA (típ.)
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Encapsulado de contorno pequeño delgado (TSOP) de 44 pines tipo II

FRAM (RAM ferroeléctrica)

FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

Especificações
Atributo Valor
Tamaño de la Memoria 2Mbit
Organización 128k x 8 bits
Tipo de Interfaz Paralelo
Ancho del Bus de Datos 8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 60ns
Tipo de Montaje Montaje superficial
Tipo de Encapsulado TSOP
Conteo de Pines 44
Dimensiones 18.51 x 10.26 x 1.04mm
Longitud 18.51mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 3,6 V
Ancho 10.26mm
Altura 1.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +85 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C
Número de Palabras 128k
Estándar de automoción AEC-Q100
Número de Bits de Palabra 8bit
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 2 V
Temporariamente fora de stock. Disponível a 03/12/2021, com entrega em 2 dia(s) útil(eis).
Preço unitário (Em tabuleiro de 135)
20,912
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
Por Tabuleiro*
135 +
20,912 €
2.823,12 €
*preço indicativo