AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM24V05-G, 8 pines, SOIC, I2C, 512kbit, 64K x 8 bits, 450ns, 2 V a 3,6 V
- Código RS:
- 188-5404
- Referência do fabricante:
- FM24V05-G
- Fabricante:
- Infineon
388 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário (Em Tubo de 97)
12,313 €
Unidades | Por unidade | Por Tubo* |
97 - 97 | 12,313 € | 1 194,361 € |
194 - 194 | 10,983 € | 1 065,351 € |
291 - 485 | 10,651 € | 1 033,147 € |
582 + | 10,38 € | 1 006,86 € |
*preço indicativo |
- Código RS:
- 188-5404
- Referência do fabricante:
- FM24V05-G
- Fabricante:
- Infineon
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- US
Detalhes do produto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 512 Kbit organizada lógicamente como 64 K x 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Interfaz serie rápida de 2 cables (I2C)
Frecuencia de hasta 3,4 MHz
Sustitución directa de hardware para la memoria EEPROM serie (I2C)
Admite tiempos heredados de 100 kHz y 400 kHz
ID de dispositivo
ID de fabricante e ID de producto
Bajo consumo
175 μA de corriente activa a 100 kHz
Corriente en espera de 90 μA (típ)
Corriente del modo de reposo de 5 μA (típ.)
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Interfaz serie rápida de 2 cables (I2C)
Frecuencia de hasta 3,4 MHz
Sustitución directa de hardware para la memoria EEPROM serie (I2C)
Admite tiempos heredados de 100 kHz y 400 kHz
ID de dispositivo
ID de fabricante e ID de producto
Bajo consumo
175 μA de corriente activa a 100 kHz
Corriente en espera de 90 μA (típ)
Corriente del modo de reposo de 5 μA (típ.)
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tamaño de la Memoria | 512kbit |
Organización | 64K x 8 bits |
Tipo de Interfaz | I2C |
Ancho del Bus de Datos | 8bit |
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 450ns |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Encapsulado | SOIC |
Conteo de Pines | 8 |
Dimensiones | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Longitud | 4.97mm |
Ancho | 3.98mm |
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
Altura | 1.48mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
Número de Bits de Palabra | 8bit |
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2 V |
Estándar de automoción | AEC-Q100 |
Número de Palabras | 64k |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |