AEC-Q100 Memoria FRAM Cypress Semiconductor FM24CL16B-G, 8 pines, SOIC, I2C, 16kbit, 2k x 8 bits, 2,7 V a 3,65 V
- Código RS 188-5400
- Referência do fabricante FM24CL16B-G
- Fabricante Cypress Semiconductor
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 16 Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 2K ´ 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Interfaz serie rápida de 2 cables (I2C)
Frecuencia de hasta 1 MHz
Sustitución directa de hardware para la memoria EEPROM serie (I2C)
Admite tiempos heredados de 100 kHz y 400 kHz
Bajo consumo
100 μA de corriente activa a 100 kHz
Corriente en espera de 3 μA (típ)
Tensión de funcionamiento: VDD = 2,7 V a 3,65 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquetes
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
Paquete de cables planos dobles sin cables (DFN) de 8 pines
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 16kbit |
| Organización | 2k x 8 bits |
| Tipo de Interfaz | I2C |
| Ancho del Bus de Datos | 8bit |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Conteo de Pines | 8 |
| Dimensiones | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
| Longitud | 4.97mm |
| Ancho | 3.98mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,65 V |
| Altura | 1.48mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Número de Palabras | 2k |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,7 V |
| Número de Bits de Palabra | 8bit |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 |
