AEC-Q100 Memoria FRAM Cypress Semiconductor FM24CL04B-G, 8 pines, SOIC, I2C, 4kbit, 512 x 8 bits, 2,7 V a 3,65 V

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 4 Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 512 x 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Interfaz serie rápida de 2 cables (I2C)
Frecuencia de hasta 1 MHz
Sustitución directa de hardware para la memoria EEPROM serie (I2C)
Admite tiempos heredados de 100 kHz y 400 kHz
Bajo consumo
100 μA de corriente activa a 100 kHz
Corriente en espera de 3 μA (típ)
Tensión de funcionamiento: VDD = 2,7 V a 3,65 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines

FRAM (RAM ferroeléctrica)

FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.