AEC-Q100 Memoria FRAM Cypress Semiconductor FM24C04B-G, 8 pines, SOIC, I2C, 4kbit, 512 x 8 bits, 4,5 V a 5,5 V
- Código RS 188-5395
- Referência do fabricante FM24C04B-G
- Fabricante Cypress Semiconductor
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 2 Mbits (F-RAM) organizada lógicamente como 128 K ´ 16
Configurable como 256 K ´ 8 mediante UB y LB
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
Funcionamiento del modo de página a un tiempo de ciclo de 30 ns
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Compatible con SRAM
Pinout SRAM estándar de la industria de 128 K ´ 16
tiempo de acceso de 60 ns, tiempo de ciclo de 90 ns
Características avanzadas
Protección contra escritura de bloque programable por software
Superior a los módulos SRAM respaldados por batería
No hay problemas con la batería
Fiabilidad monolítica
Solución de montaje en superficie real, sin pasos de rectificación
Superior para humedad, golpes y vibraciones
Bajo consumo
Corriente activa 7 mA (típ.)
Corriente en espera 120 μA (típ.)
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Encapsulado de contorno pequeño delgado (TSOP) de 44 pines tipo II
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 4kbit |
| Organización | 512 x 8 bits |
| Tipo de Interfaz | I2C |
| Ancho del Bus de Datos | 8bit |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Conteo de Pines | 8 |
| Dimensiones | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
| Longitud | 4.97mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 5,5 V |
| Ancho | 3.98mm |
| Altura | 1.48mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Número de Bits de Palabra | 8bit |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Número de Palabras | 512 |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 4,5 V |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 |
