AEC-Q100 Memoria FRAM Cypress Semiconductor FM1808B-SG, 28 pines, SOIC, Paralelo, 256kbit, 32k x 8 bits, 70ns, 4,5 V a

Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
COO (País de Origem): US
Detalhes do produto

F-RAM de Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 256 Kbit organizada lógicamente como 32 K ´ 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Compatible con SRAM y EEPROM
Pines SRAM y EEPROM estándar del sector de 32 K ´ 8
tiempo de acceso de 70 ns, tiempo de ciclo de 130 ns
Superior a los módulos SRAM respaldados por batería
No hay problemas con la batería
Fiabilidad monolítica
Solución de montaje en superficie real, sin pasos de rectificación
Superior para humedad, golpes y vibraciones
Resistente a subtensiones de tensión negativa
Bajo consumo
Corriente activa 15 mA (máx.)
Corriente en espera de 25 μA (típ.)
Funcionamiento con tensión: VDD = 4,5 V a 5,5 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Encapsulado de circuito integrado (SOIC) de contorno pequeño de 28 pines

FRAM (RAM ferroeléctrica)

FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

Especificações
Atributo Valor
Tamaño de la Memoria 256kbit
Organización 32k x 8 bits
Tipo de Interfaz Paralelo
Ancho del Bus de Datos 8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 70ns
Tipo de Montaje Montaje superficial
Tipo de Encapsulado SOIC
Conteo de Pines 28
Dimensiones 18.11 x 7.62 x 2.37mm
Longitud 18.11mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 5,5 V
Ancho 7.62mm
Altura 2.37mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +85 °C
Estándar de automoción AEC-Q100
Número de Bits de Palabra 8bit
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C
Número de Palabras 32k
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 4,5 V
378 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
Preço unitário (Em Tubo de 27)
15,591
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
Por Tubo*
27 - 27
15,591 €
420,957 €
54 - 81
15,213 €
410,751 €
108 +
14,089 €
380,403 €
*preço indicativo