Memoria FRAM Cypress Semiconductor FM25V20A-DGQ, 8 pines, DFN, Serie SPI, 2Mbit, 256 kB x 8, 2 V a 3.6 V

Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
Detalhes do produto

2-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically
organized as 256 K ´ 8
High-endurance 10 trillion (1014) read/writes
121-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Very fast serial peripheral interface (SPI)
Up to 33 MHz frequency
Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM
Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)
Sophisticated write protection scheme
Hardware protection using the Write Protect (WP) pin
Software protection using Write Disable instruction
Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array
Device ID
Manufacturer ID and Product ID
Low power consumption
3 mA active current at 33 MHz
400 A standby current
12 A sleep mode current
Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V
Extended temperature: –40 °C to +105 °C
8-pin thin dual flat no leads (DFN) package

Especificações
Atributo Valor
Tamaño de la Memoria 2Mbit
Organización 256 kB x 8
Tipo de Interfaz Serie SPI
Ancho del Bus de Datos 8bit
Tipo de Montaje Montaje superficial
Tipo de Encapsulado DFN
Conteo de Pines 8
Dimensiones 6 x 5 x 0.7mm
Longitud 6mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 3.6 V
Ancho 5mm
Altura 0.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +105 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 2 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C
Número de Bits de Palabra 8bit
Número de Palabras 256K
296 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
Preço unitário (Em Tubo de 74)
12,783
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
Por Tubo*
74 - 74
12,783 €
945,942 €
148 - 296
12,527 €
926,998 €
370 +
12,276 €
908,424 €
*preço indicativo