Memoria FRAM Infineon FM33256B-G, 14 pines, SOIC, SPI, 256kbit, 32K x 8 bits, 24ns, 2,7 V a 3,6 V

Dispositivos integrados que incluyen las funciones de mayor demanda para sistemas basados en procesador.

Memoria FRAM en serie no volátil
Reloj en tiempo real (RTC)
Reajuste de baja tensión
Temporizador Watchdog
NMI/Advertencia temprana de fallo de alimentación
Dos contadores de eventos de 16 bits
Número de serie con bloqueo de escritura por seguridad
Conmutación respaldada por batería
Seguimiento de contador de eventos
Interfaz I²C

Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 256 Kbit (F-RAM)
Organizado lógicamente como 32 K x 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
El Dispositivo De Integración Alta Reemplaza Varias Piezas
Memoria no volátil serie
Reloj de tiempo real (RTC) con alarma
Se restablecen las unidades de detección de VDD bajas
Temporizador de ventana de vigilancia
Advertencia de fallo de alimentación temprana / NMI
Contador de sucesos no volátiles de 16 bits
Número de serie con bloqueo de escritura por seguridad
Reloj/Calendario En Tiempo Real
Corriente de reserva a 2 V: 1,15 μA a +25 °C.
Segundos a través de siglos en formato BCD
Las pistas LEAP Years hasta 2099
Utiliza cristal estándar de 32,768 kHz (6 pF/12,5 pF)
Calibración del software
Admite batería o respaldo de condensador
Temporizador de ventana de vigilancia programable
El contador de eventos no volátiles realiza un seguimiento de las intrusiones del sistema u otros eventos
Comparador para interrupción de fallo de alimentación u otro uso
número de serie programable de 64 bits con bloqueo
Interfaz periférica serie rápida (SPI)
Frecuencia de hasta 16 MHz
RTC, supervisor controlado mediante interfaz SPI
Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
Corriente activa de 1,1 mA a 1 MHz
150 μA de corriente en espera
Tensión de funcionamiento: VDD = 2,7 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.