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    Memoria FRAM Infineon FM25L04B-G, 8 pines, SOIC, SPI, 4kbit, 512 x 8 bits, 2,7 V a 3,6 V

    Código RS:
    125-4224P
    Referência do fabricante:
    FM25L04B-G
    Fabricante:
    Infineon
    Infineon
    Ver tudo Memoria FRAM
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    125-4224P
    Referência do fabricante:
    FM25L04B-G
    Fabricante:
    Infineon

    Documentação Técnica


    Legislação e Conformidade


    Detalhes do produto

    F-RAM de Cypress Semiconductor


    La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

    Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
    Rápida velocidad de escritura
    Alta resistencia
    Bajo consumo

    Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 4 Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 512 ´ 8
    Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
    retención de datos de 151 años
    NODELAY™ escribe
    proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
    Interfaz periférica serie (SPI) muy rápida
    Frecuencia de hasta 20 MHz
    Sustitución directa de hardware para flash serie y EEPROM
    Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
    Sofisticado esquema de protección contra escritura
    Protección de hardware mediante el pasador De Protección contra escritura (WP)
    Protección de software mediante la instrucción Write Disable (Desactivar escritura)
    Protección de bloques de software para 1/4, 1/2, o toda la matriz
    Bajo consumo
    200 μA de corriente activa a 1 MHz
    Corriente en espera de 3 μA (típ)
    Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,7 V a 3,6 V.
    Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
    Paquetes
    Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
    Encapsulado DFN (sin cables planos dobles delgados de 8 pines)


    FRAM (RAM ferroeléctrica)


    FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

    Especificações

    AtributoValor
    Tamaño de la Memoria4kbit
    Organización512 x 8 bits
    Tipo de InterfazSPI
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Tipo de EncapsuladoSOIC
    Conteo de Pines8
    Dimensiones4.97 x 3.98 x 1.48mm
    Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento3,6 V
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+85 °C
    Número de Bits de Palabra8bit
    Número de Palabras512
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-40 °C
    Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima2,7 V
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