JFET, MMBFJ111, N-Canal, 15 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
Detalhes do produto

JFET de canal N, Fairchild Semiconductor

Transistores JFET

Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

Especificações
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente 15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente -35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador 35V
Configuración Único
Configuración de transistor Simple
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 30 Ω
Tipo de Montaje Montaje superficial
Tipo de Encapsulado SOT-23
Conteo de Pines 3
Capacidad Drenador-Fuente 28pF
Capacidad Fuente-Puerta 28pF
Dimensiones 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Ancho 1.3mm
Altura 1.04mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 2.9mm
7200 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
Preço unitário (Fornecido em Tiras de 50)
0,217
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
Por Fita*
50 - 200
0,217 €
10,85 €
250 +
0,114 €
5,70 €
*preço indicativo
Opções de embalagem: