- Código RS:
- 911-4779
- Referência do fabricante:
- IHW30N160R2FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 911-4779
- Referência do fabricante:
- IHW30N160R2FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- CN
Detalhes do produto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 1600 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Disipación de Potencia Máxima | 312 W |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |