IGBT, GT40WR21,Q(O, N-Canal, 40 A, 1800 V, TO-3P, 3-Pines, 1.8MHZ Simple
- Código RS:
- 891-2746
- Referência do fabricante:
- GT40WR21,Q(O
- Fabricante:
- Toshiba
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 891-2746
- Referência do fabricante:
- GT40WR21,Q(O
- Fabricante:
- Toshiba
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- JP
Detalhes do produto
Discretos IGBT, Toshiba
IGBT discretos y módulos, Toshiba
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 40 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1800 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V |
| Disipación de Potencia Máxima | 375 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-3P |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Velocidad de Conmutación | 1.8MHZ |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 15.5 x 4.5 x 20mm |
| Capacitancia de puerta | 4500pF |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | 175 °C |
- Código RS:
- 891-2746
- Referência do fabricante:
- GT40WR21,Q(O
- Fabricante:
- Toshiba