- Código RS:
- 877-2905
- Referência do fabricante:
- STGW30NC60KD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Adicionado
Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
6,346 €
Unidades | Por unidade | Por Pack* |
5 - 5 | 6,346 € | 31,73 € |
10 - 95 | 5,394 € | 26,97 € |
100 - 495 | 4,316 € | 21,58 € |
500 - 995 | 3,838 € | 19,19 € |
1000 + | 3,244 € | 16,22 € |
*preço indicativo |
- Código RS:
- 877-2905
- Referência do fabricante:
- STGW30NC60KD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- CN
Detalhes do produto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Disipación de Potencia Máxima | 200 W |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 15.75 x 5.15 x 24.45mm |
Capacitancia de puerta | 2170pF |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Energía nominal | 1435mJ |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
- Código RS:
- 877-2905
- Referência do fabricante:
- STGW30NC60KD
- Fabricante:
- STMicroelectronics