IGBT, NGB8207ABNT4G, N-Canal, 50 A, 365 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- Código RS:
- 805-1753
- Referência do fabricante:
- NGB8207ABNT4G
- Fabricante:
- Littelfuse
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Adicionado
Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
1,856 €
| Unidades | Por unidade | Por Pack* |
| 5 + | 1,856 € | 9,28 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 805-1753
- Referência do fabricante:
- NGB8207ABNT4G
- Fabricante:
- Littelfuse
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
Discretos IGBT, ON Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 365 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±15V |
| Disipación de Potencia Máxima | 165 W |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |